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120V低內阻MOS 綠星DG120N01S
顛覆業界傳統的（de）低（dī）壓（yā）MOS製程，大幅降低RDS內（nèi）阻切換（huàn）損失。
台灣綠（lǜ）星低壓MOS產品融入DG-FET深溝槽創（chuàng）新技術，將內阻值死磕到底，肉眼可（kě）見的（de）出類拔萃。
美（měi）瑞電子致力於推動品質專線邁（mài）入普惠時代，帶入千行百業。
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