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30V低壓MOS 綠星SG30N04E DFN3*3
顛（diān）覆業界傳統的低壓MOS製程，大幅降低RDS內（nèi）阻切換（huàn）損失。
台灣綠星低壓MOS產（chǎn）品融入（rù）DG-FET深溝槽創新技術，將內阻值死磕到底，肉眼可見（jiàn）的出類拔萃。
羞羞视频入口電子致力於推動品（pǐn）質專線邁入普惠時代，帶入千行百業。
30V低壓MOS 綠（lǜ）星（xīng）SG30N04E DFN3*3
顛覆業界傳統的低壓MOS製程，大幅降低RDS內阻切換損（sǔn）失（shī）。
台灣綠星低壓MOS產品融入DG-FET深溝槽創新技術，將內（nèi）阻值死磕到底，肉眼可（kě）見的出類拔萃。
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