網站首頁產品中心碳化（huà）矽器件（jiàn）超結MOS IGBT器件虹揚橋堆肖特基二極管遇見羞羞视频入口聯（lián）係羞羞视频入口

當前位（wèi）置：首頁 » 產品中心 » 低壓（yā）MOSFET » 低壓MOS

首頁 » 產品中心» 低壓MOSFET» 低壓MOS

綠星MOS DG100N02Q DFN5*6

綠星MOS DG100N02Q DFN5*6

產品詳情

采用第三代DG-FET製程，DG-FET係列具（jù）有高速開關速度，業界優異的Ron-Crss表現。

由（yóu）於（yú）具有緩衝效應，DG-FET係列可以抑製，比SuperTrench係列更有效地切換噪音和振鈴。

RDS（on）導通電阻比其他同類元（yuán）件至少降低50%，閘電荷（Qg）比其他裝置少50%

20V至250V規格，可在各式電源與電機驅動（dòng）中實現更高效率。

分享到：

上一篇：銳（ruì）駿2025低壓MOS選型（xíng）表（biǎo）-羞羞视频入口

下一篇：沒有了

推薦新聞

碳化矽二極管的介紹 2023-04-23

采（cǎi）用第（dì）三代DG-FET製程，DG-FET係列具有高速開關速度，業（yè）界優異的Ron-Crss表現（xiàn）。

由於具有緩（huǎn）衝效應，DG-FET係列可以抑（yì）製，比SuperTrench係列更有效地切（qiē）換噪音和振鈴。

RDS（on）導通電阻比其他同類元件至少降低50%，閘電荷（Qg）比其他裝（zhuāng）置少50%

20V至250V規格，可在各式電源與（yǔ）電機驅動中實現更高效率。

分享到：

上一篇（piān）：銳（ruì）駿2025低壓MOS選型表-羞羞视频入口

下一篇：沒有了

跟此產品相關的產品

: 銳駿2025低壓MOS選型表-羞羞视频入口

: 銳駿P溝道（dào）低（dī）壓MOS選型表（biǎo）-羞羞视频入口

: 綠星MOS DG100N02G TO-263

: RU40120R

產品中心（xīn）

低壓（yā）MOSFET 超結MOSFET 電源IC 二極管（guǎn）產品整流（liú）橋（qiáo）堆

碳化矽器件

碳化矽二極管碳化（huà）矽MOSFET

超結MOS

維安 | Wayon 芯美浩（hào） | Semihow 龍騰 | Lonten 亞（yà）成微 |Reactor

IGBT器件

IGBT單管 IGBT模塊

虹揚橋堆

台灣虹（hóng）揚 | HY 揚傑 | YJ 矽潤 | XSEMI

肖特基二極管（guǎn）

台灣統懋 | MOSPEC 揚傑 | YJ 矽潤（rùn） | X-SEMI

Tel: +86-769-21665206

Fax: +86-769-21665256

網址（zhǐ）：www.qhgyxx.cn

總（zǒng）公司地址:廣東省東莞市萬江街（jiē）道華爾（ěr）泰路2號五盈科技園5棟3層

經營產品：碳化（huà）矽器件、IGBT單管（guǎn）、IGBT模塊、肖特基/整流橋堆、低壓MOS、超結MOS

版權所有：Copyright © 2019 東莞市羞羞视频入口電子有限公司粵ICP備19137317號版（bǎn）權所有模仿必究

與我聯（lián）係

羞羞视频入口電子（zǐ）外貿台灣虹揚上海維安肖特基二極管整流二極（jí）管羞羞视频入口合作客（kè）戶羞羞视频入口電子介紹龍騰半導體（tǐ）銳駿半導（dǎo）體 semihow coolmos

回到頂部電話谘詢（xún）在線地圖返回（huí）首頁