silicongear使用第三代DG-FET工藝,DG-FET係列具有高速開笑速度,業界傑出的Ron-Crss性(xìng)能。
綠星電子致力於通過不斷開發新電源半(bàn)導體技術,產(chǎn)品和創新解決方案,為客戶提供卓越的設計,製造(zào)和響應能力。我們通過滿足其產(chǎn)品特定需求,為客戶帶來受益的產品(pǐn)。
台灣綠星:知名台(tái)係MOSFET品(pǐn)牌(pái),主營大(dà)功率低壓MOSFET,產品性能優異; 采用第三代DG-FET製程,DG-FET係列具有高速開關速度,業界優異的Ron-Crss表現。 由於具有緩衝效應,DG-FET係列可以抑製(zhì),比SuperTrench係列更有效地切換噪音和振(zhèn)鈴。 RDS(on)導通電阻比其他同類元件(jiàn)至(zhì)少降低50%,閘電荷(Qg)比其(qí)他裝置少50% 20V至250V規格,可在(zài)各式電源與電機驅動中實現更高效率。
silicongear使用第三代(dài)DG-FET工藝,DG-FET係列具有高(gāo)速開(kāi)笑速度(dù),業界傑出(chū)的Ron-Crss性能。
綠星電子致力於通過不(bú)斷開發(fā)新電源半導體技(jì)術,產品和創新(xīn)解(jiě)決方案,為客戶提供卓越的設計,製造和響應(yīng)能力(lì)。我們通過滿足(zú)其產(chǎn)品特定需求(qiú),為(wéi)客戶帶(dài)來受益的產品。
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