80V低（dī）內阻MOS 綠星DG80N02HQ DFN5*6
顛覆業界傳統的（de）低壓MOS製程，大幅（fú）降低RDS內阻切換損失。
台灣綠星低壓MOS產（chǎn）品融（róng）入DG-FET深溝槽創新技術，將（jiāng）內阻值死磕（kē）到底，肉眼可見的（de）出類拔萃。
美（měi）瑞電子致力於推動品質專線邁入普惠時代，帶入千行百業。
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