120V低內阻MOS 綠星DG120N01S
顛覆業界傳統的（de）低壓MOS製（zhì）程，大幅降低RDS內阻切（qiē）換損失。
台（tái）灣綠星低壓MOS產品融入DG-FET深溝槽創（chuàng）新（xīn）技術，將內阻值死磕到底，肉眼可（kě）見的出類拔萃。
羞羞视频入口電子致力於推動品質專線邁入普惠時代，帶入千行百業。
120V低內阻MOS 綠星DG120N01S
顛覆業界傳統（tǒng）的低壓MOS製程，大幅降低RDS內阻切換損失。
台灣綠星低壓（yā）MOS產品融入DG-FET深溝槽（cáo）創新技術，將內阻值死磕到底，肉眼可見的出類拔萃。
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