龍騰半導(dǎo)體的 LSG65R340GM 屬於其高壓超結MOSFET(SJ MOSFET)產品係列的代表型號之一,
主要服務於(yú)高效電源轉換場景。其核心特性與應(yīng)用方向如下:
一、關鍵電氣參數與性能優勢
耐壓與導通特性
支持 650V 高耐壓(yā)等(děng)級,可實現大功率(lǜ)應用中的穩定阻斷能力。
340mΩ 典型導通電阻(R<sub>DS(on)</sub>),配合低柵極電荷設計,顯著降低導通與(yǔ)開關損耗。
可靠性強化設計
優化抗雪崩能力(EAS):通過結構改進增強器(qì)件在異常電壓衝擊(如雷擊、感性負載突(tū)變)下的生存能力。
抗浪湧電流保護:適用於照明電源等存在高浪湧風險(xiǎn)的場景,避免器件因瞬時過流失效。
開關性能優化
超低反(fǎn)向恢複電荷(Q<sub>rr</sub>),抑製橋式拓撲中因(yīn)體二極管反向恢複(fù)引(yǐn)發的(de)振蕩問(wèn)題。
優化的柵極(jí)驅動特性,降低EMI噪聲,適配高開關頻(pín)率應用。
二、典型應用場景
高效率(lǜ)電源適配器
廣泛用於 USB-PD快充、筆記本適配器等消(xiāo)費電子設備,支(zhī)持45-65W高功(gōng)率密度設計(jì)。
工業與新能(néng)源電力係統
微型(xíng)逆變器:在Flyback原邊電路中抵禦啟動電流(liú)衝擊,並在逆(nì)變級利用低Q<sub>rr</sub>特性提升轉換效率(lǜ)。
LED驅動電源:適用於單級PSR Flyback架(jià)構,滿足(zú)小功率照明對(duì)EMI與可靠性的嚴苛需求。
三、封裝與認證
采用行業通用封裝(如TO-220或D²PAK),便(biàn)於散(sàn)熱設計與(yǔ)PCB布局。
符合 RoHS規範 與無鹵素(sù)要求,通(tōng)過100% UIS(Unclamped Inductive Switching)測試驗(yàn)證魯棒性。
注(zhù):該型號在蔚來、摩米士、綠聯(lián)等品牌的充電設備中已有(yǒu)成熟應用案例。其設計平衡(héng)了效率、成本(běn)與可靠性,是中高功率電源方案的優選器件之一(yī)。