OSG60R074HSZF-F是一（yī）款由東微（Orient Semiconductor）生產的N溝道功率MOSFET，其封裝形（xíng）式（shì）為TO-247，符合RoHS標準。
電氣特性：最小工作溫度為-50°C，最大工作（zuò）溫度為80°C；最小電源電壓1.5V，最大電源電壓（yā）9.5V。
物理尺寸：長度5.1mm，寬度6.6mm，高度1.1mm。
電流電壓規格：據相關平台信（xìn）息顯示，其具備47A的電流和600V的電壓規格，適（shì）用於大功率場景。
市場上存在（zài）與OSG60R074HSZF-F類似的（de）型號，如OSG60R074HSZ、OSG60R074HZ、OSG60R074HZF、OSG60R074KSZ等，這些（xiē）型號在封裝、參數等方麵（miàn）可能存在差異，采購時需注意區分。
OSG60R074HSZF-F是一款由東微（Orient Semiconductor）生產的N溝道功率MOSFET，其封裝形式為TO-247，符合RoHS標準。
電氣特性（xìng）：最小工作溫度為-50°C，最大工作溫度為80°C；最小電源電（diàn）壓1.5V，最大電源（yuán）電壓9.5V。
物理尺寸：長度5.1mm，寬度6.6mm，高度1.1mm。
電流電壓規格：據相關平台信息顯示，其具備47A的電流（liú）和600V的電壓規格，適用於大（dà）功率（lǜ）場景。
市場上存在與OSG60R074HSZF-F類似的型號，如OSG60R074HSZ、OSG60R074HZ、OSG60R074HZF、OSG60R074KSZ等，這些型號在封裝、參數等方麵可能存在差異，采購時（shí）需注意區分。
Tel: +86-769-21665206
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經營產品：碳化矽器件、IGBT單管（guǎn）、IGBT模塊、肖（xiāo）特基（jī）/整流（liú）橋堆、低壓MOS、超結MOS
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