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HCS65R210S是一款650V N通道（dào）超級結MOSFET，具（jù）有以下特點：
認證：符合RoHS指令、CE、ISO、CCC標準。
製造商：semihow，代理銷售：東莞羞羞视频入口電子有限公司，成立於2013年，專注於半導體分立器件的銷售和（hé）技術服務。
最大漏極電壓：650V。
額定柵源電壓：±20V。
極低（dī）導通（tōng）電阻（FOM）：RDS(ON) × Qg值非常低，這意味著在（zài）導通狀態下具有（yǒu）非（fēi）常低的（de）能量（liàng）損耗。
低開關損失（shī）：在開關操作時能量損耗較小，提高了能（néng）效。
優（yōu）異的穩（wěn）定性和均一性：確保長時間穩定（dìng）工作，且性能一致性良好。
100%的雪崩測試：通過了嚴格的雪崩測試，增強了器件的（de）安全性。
內置ESD二極管：內置的ESD二極管可以有效保護電路免受靜電放電的影響。
HCS65R210S因其出色的性能（néng），被廣泛（fàn）應用於以下領域：
LED驅動電源
醫療電源
HCS65R210S是一款650V N通道超（chāo）級（jí）結MOSFET，具有以（yǐ）下（xià）特點：
認證：符合RoHS指令、CE、ISO、CCC標準。
製（zhì）造商：semihow，代理銷售：東莞羞羞视频入口電子有限公司，成立於2013年，專注於半導體分（fèn）立器件的銷售和（hé）技術服務。
最大（dà）漏極電壓：650V。
額（é）定柵源電壓：±20V。
極低導（dǎo）通電阻（FOM）：RDS(ON) × Qg值（zhí）非常低，這意味著在導通狀態下具有非常低的能量損耗。
低開關損失（shī）：在開關操作時能量損耗較小，提高了能效。
優異的穩定（dìng）性和均一性：確保長時（shí）間穩定（dìng）工（gōng）作，且性能一致性良好。
100%的（de）雪崩測試：通過了（le）嚴（yán）格的雪崩測試，增強了器件的安全性。
內置ESD二極管：內置的ESD二極（jí）管可以有效保護電路免（miǎn）受靜電放電的影響。
HCS65R210S因其出色的（de）性能，被廣泛應用於以下領域：
LED驅（qū）動電源
醫療電源
Tel: +86-769-21665206
Fax: +86-769-21665256
網址：www.qhgyxx.cn
總（zǒng）公司地址:廣東省東莞市萬江街道華爾泰路2號五盈科技（jì）園（yuán）5棟3層
經營產品：碳化矽器件、IGBT單管、IGBT模塊、肖特（tè）基/整流橋堆、低（dī）壓MOS、超結MOS
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