HCS65R380S MOSFET參數詳解

基本信息

HCS65R380S是一款超結高壓MOSFET，由Semihow公司生產。Semihow擁有超過10年在三星功率（lǜ）半導體工作的研發團隊，具備（bèi）強大的技（jì）術研發實（shí）力。該（gāi）產品主要用於600V~900V的電壓係列（liè），具有多種（zhǒng）封裝形式，如TO-220、TO-220F、DPAK、IPAK等（děng）。

主要（yào）參數

電壓特性

• 最大漏極-源（yuán）極電壓（VDS）：650V

• 柵（shān）極（jí）-源極電壓（VGS）：最小導通電壓（yā）2V，最大導通電壓4V

電氣特性

• 最大漏（lòu）極電流（ID）：10.4A @ 25℃

• 導通電阻（RDS(ON)）：最大0.38Ω @ VGS=10V

• 柵極電荷（Qg）：22.6nC

• 漏極-源極電容（Cds）：133pF

封裝信息

• 封裝形式：TO-220FS

工作原理

MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，金屬氧化物半導體場效應晶（jīng）體管）是一種電壓控製元件。它利用金屬層（柵極）隔著氧化層（絕（jué）緣層（céng））和半導（dǎo）體（源極和（hé）漏極）之間（jiān）的電場效應來控（kòng）製電流的流動。MOSFET具有高開關速（sù）度、低噪聲、高抗輻射能力等優點，同時體積小、重量輕（qīng）、耗電省、壽命長。

應（yīng）用（yòng）領域

HCS65R380S因其出色（sè）的電氣（qì）特性和可靠性，廣泛應用於（yú）電力電子領域，特別是在需要高效能和高（gāo）可靠性的電源管理電路（lù）中。其高壓特性使其（qí）成（chéng）為開關（guān）電源（yuán）、電機控製（zhì）等應用的理想選（xuǎn）擇。

注意事（shì）項

在使用HCS65R380S時，需要注（zhù）意其散熱問題，因為高功率（lǜ）操作會產生大量熱（rè）量。建議采用合適的散熱解決方案，如安裝散熱器或使用風扇輔助散熱。

綜（zōng）上所述，HCS65R380S是一款性能優異的（de）超結（jié）高（gāo）壓MOSFET，適用於多種高性能電力電子設備。在選（xuǎn）擇和使用時，應充（chōng）分（fèn）考慮其電氣參數和應用需（xū）求，以確保係統的穩定運行（háng）和（hé）長期可靠性。