肖特基二極管（Schottky Diode），也稱肖特基勢壘二（èr）極管，其內部結（jié）構相對（duì）獨特，主（zhǔ）要由（yóu）以下部分組成：

一、主要構（gòu）成部分

1. • 肖特基二極管（guǎn）的內部（bù）結構示意圖通常展示為一個五層器（qì）件，從下到上（shàng）依次為：

   • N+陰極（jí）層：這是肖特（tè）基二極管的最底層，與陰極金屬相連（lián），用於減小陰極的接觸電（diàn）阻。

   • N型基片：位（wèi）於N+陰極層（céng）之上（shàng），具（jù）有較小的通態電阻，是肖特基二極管中電子傳輸的（de）主要通道。

   • N-外延層：這是（shì）N型基片之上（shàng）的一層，摻雜濃度（dù）較低，通常使用砷等雜質進行摻雜。

   • 肖特基（jī）勢壘層（céng）：這是由金屬與（yǔ）N-外延層緊密接觸後（hòu）形成的特殊區域。當金（jīn）屬與N型半導體接觸時，由於兩者的功函數不同，會在接觸界麵（miàn）處形成電子勢壘，即肖特基勢壘。這個勢壘阻礙了電子從半導體向金屬的流動，同（tóng）時（shí）也限製了反向電流的大小。

   • 陽極金屬：這是肖特基二（èr）極管的頂層，通常由金（jīn）、銀、鋁（lǚ）、鉬等貴金屬製成。陽極金屬與N-外延層之（zhī）間通過肖特基勢壘相連，形成二極管的（de）整流結構。

二、肖特基勢壘

通過調整結構參數（shù），在N型基片和陽極金屬（shǔ）之間形成肖特（tè）基勢壘。這是肖特基二（èr）極管工作的關（guān）鍵部分。

三、工作原理

1. 正向偏壓：當在肖（xiāo）特基勢壘兩端加（jiā）上正向偏壓（陽極金屬接電源正極，N型基片接電源負極）時（shí），肖特基勢壘層變窄，其（qí）內阻變小，二極（jí）管處於（yú）導通（tōng）狀態。

2. 反向（xiàng）偏壓：當在（zài）肖特基勢壘兩（liǎng）端加上反向偏壓（yā）時，肖特基勢壘層變寬，其內阻變大（dà），二極管處於截止狀態。

四、工藝結構

肖特基二極管主要有兩種（zhǒng）工藝結構：

1. 點接（jiē）觸結構：用一根尖端（duān）細金屬絲（sī）與半導體接觸製成，通過機械接觸或用放電工藝（yì）得到一個（gè）很小的合金結。

2. 平麵接觸結構（gòu）：具有更大的接（jiē）觸麵（miàn）積，通常（cháng）用於需要更高電流容量（liàng）的應用。

五、特點與應用

肖特（tè）基二（èr）極管具有正向導通壓降（jiàng）小（約0.45V）、反向恢複時（shí）間短（duǎn）、開關損耗小等特點，是一種低功耗、超（chāo）高速半導體器件。然而（ér），其反向耐壓值較低，反向漏電流較大，因此適用於低（dī）壓、大電流、高（gāo）頻整流（liú）等場（chǎng）合。