6月13日，上海證券交易所（suǒ）受（shòu）理了蘇州鍇威特半導體股份有限公司（簡稱：鍇威特）的科創板上（shàng）市申請。

據了（le）解，鍇威特主要從事功率（lǜ）半導體的設計、研發和銷售，並提供相關（guān）技術服務。公司堅持“自主創芯，助力核心（xīn）芯片國產化”的發展定（dìng）位，主要產品包（bāo）含功率器件及功率IC兩大類。

在功率器件方麵，公司產品以高壓平麵MOSFET為主，並在平麵MOSFET工藝平台基礎上設計研發了集成快恢複高壓功率MOSFET（FRMOS）係（xì）列產品；在功率IC方麵，公司專注於功率驅動IC和電源管（guǎn）理IC。此外（wài），在第三代半導體（tǐ）方麵，公司（sī）的SiC功率器件已小批量（liàng）出貨。

通過自主創新和技術（shù）沉澱，公司已同時具備功率（lǜ）器件和（hé）功率IC的設計、研發（fā）能力。公司掌握了功率半導體芯片的前（qián）端設計技術和（hé）特色晶圓製造工藝，現已搭建多個功率半導體細分產（chǎn）品（pǐn）的技術平台。

憑借高性能的產品，蘇州（zhōu）鍇威特半導體在行業內形成（chéng）了較強（qiáng）的（de）市場競爭力。結合Omdia研究數據（jù），以發行人（rén）2020年MOSFET產（chǎn）品銷售額測（cè）算，蘇州鍇威特（tè）半導體全球MOSFET市場的市場份額約為0.23%；另根據江（jiāng）蘇省半導體行業協會統計，2020年蘇州鍇威特半導體FRMOS產品的國內市場占有率約為6%，位列本土企業第四位；SiC功率器件方麵，公司是國內為數不多的具備650V-1700V SiC MOSFET設計能力的企業之一，產品已覆蓋業內主流電（diàn）壓（yā）段。

三年間經營業績穩步增（zēng）長（zhǎng）

近年來，隨著消費電子、工（gōng）業控製、新（xīn）能源汽（qì）車市場的高速成長，推動鍇（kǎi）威特（tè）的功率（lǜ）半導體業務持續發展。

公司堅（jiān）持在（zài）高可靠（kào）領域芯片國產化替代的戰（zhàn）略方向，洞察市場需求導向，進行自主研發和創新，將科技成果與產業深度融合。憑借（jiè）自主研（yán）發的高性能產品，鍇威特也與（yǔ）多家（jiā）高可靠領域客戶建立（lì）了合作關係。

截（jié）至目前，鍇（kǎi）威特已擁有包括平麵MOSFET、功率IC等（děng）近700款產品。憑借產品可靠性高、參數一致性好等特點，公司迅速在細分領域打開市（shì）場，產品廣泛（fàn）應用於消費電子、工業控製及高可靠領域，客戶包括以晶豐明源、必易微、芯朋微、燦瑞科技為代表的（de）芯（xīn）片設計公（gōng）司及多家高可靠（kào）領域客戶，並且產品已被小米、美的、雷士照明（míng）、佛山照明等終端客（kè）戶（hù）所采用。

具體來看，在功率器件方麵，公司已同時具備矽基（jī）及SiC基功率器件（jiàn）的（de）設計、研發能力，積累了多項具有原創性和（hé）先進性（xìng）的核心技術（shù），其中3項達（dá）到國際先進水平，1項達到國內領先水（shuǐ）平。

其中（zhōng），在平麵MOSFET方麵，公司核心技術具體包括“高可靠性元胞結構”“新型（xíng）複合終端結構及實現工藝技（jì）術”等。其中，公司利用“高壓（yā）MOSFET的少子壽命控製及工藝實現技（jì）術”研發並量產（chǎn）的FRMOS產品具有反向恢（huī）複時間短、漏電流小、高（gāo）溫（wēn）特性好、反向恢（huī）複特性較軟、低電磁幹擾（rǎo）的優勢特性；在第三代半導體器（qì）件方麵，公司利用掌握的“短溝道碳化矽MOSFET器件係列產品溝道控製及其製（zhì）造技術”實現了SiCMOSFET穩定的性能和優良的良率控製。上述核心技術有效提升了公司產品性能指標，增強了產品市場競爭力（lì）。

蘇州鍇威特半導體（tǐ）股份有（yǒu）限公司近三年財務數據

在（zài）功率IC方麵，公司基（jī）於0.8um 700V BCD、0.5um 600V SOIBCD和0.18um 40V BCD工（gōng）藝設計平台（tái），完成了多款功率IC所需的IP設計與驗證，並基於已驗證的IP成功開發了近40款功（gōng）率IC產品（pǐn）；公司自主研發了“一種全電（diàn）壓範圍多基（jī）準電壓同步（bù）調整電路及（jí）高精準過（guò）壓保護電路”“一種輸入失調電壓自動修正電路”等核心技術，有效提升了（le）產品（pǐn）參數一（yī）致性，增強了產品可靠性（xìng）。

憑借強有力的（de）產（chǎn）品線，鍇威特近三（sān）年的主營（yíng）業務收入也迎來持（chí）續的增長。從2019-2021年，公司主營業務收（shōu）入（rù）分別為10,575.54萬元、13,383.49萬元和20,318.15萬元，2020年和2021年同比分別（bié）增長26.55%和51.82%。其中，平麵MOSFET為公司實現大規模銷售的主要產品，該產品收入占主營（yíng）業務（wù）收入的比例分別為86.71%、88.39%和83.07%。

募資約5.3億元投建三大功率半導體（tǐ）等（děng）項目

招股書顯示，鍇威特此次IPO擬募資約5.3億（yì）元，投建智能功率半（bàn）導體研發升級項目、SiC功率（lǜ）器件研發升級（jí）項目、功率半導體研（yán）發工程中心升級項目（mù），以（yǐ）及用（yòng）於補充營（yíng）運資金。

圖源：蘇州鍇威特（tè）半導體（tǐ）股份有限公司招股書

其（qí）中，智能功率半導體研（yán）發（fā）升級項目主（zhǔ）要（yào）涉及公司的主（zhǔ）營（yíng）產（chǎn）品功率器件、功率IC、IPM、光繼電器（qì）（Photo MOS）等係列產品的技術升級、工藝製程優化及部分新品類的研發及規模化（huà）量產。其中，功率器件主要包括高可靠性高壓平麵MOSFET（包括 FRMOS）、第三代超結 MOSFET（SJMOS-FD）、40V-200V 屏蔽柵 MOSFET 產品；功率 IC 包括高壓高速柵極（jí）驅動 IC、高功率密度（dù）電源管理IC 產品。

該項目（mù）實施旨（zhǐ）在繼續（xù）加強公（gōng）司在功率（lǜ）半導體產品的技術積澱，保持在功率器件、功（gōng）率 IC、IPM、光繼電器（Photo MOS）產品的領先優（yōu）勢，挖掘高性能智能功率半導體的發展潛（qián）力，打造全係列產品的（de）技術創新平（píng）台，致力於成為市（shì）場一流的高性能、智能（néng）化功率半導體供應商。

而SiC功率器件研發升級項目主要涉及650V-1700V SiC MOSFET、650V1700V SiC SBD工藝優化、器件升級及SiC功率模塊（kuài）的規模化量產。

在SiC功率器件方麵，一是SiCMOSFET、SiCSBD由4寸晶圓升級到6寸晶圓的研製；二是在SiCMOSFET基礎上開發集成SBD器件，開發出650V和1200V的SiCSKMOS。

在SiC功率模（mó）塊方麵，包（bāo）括SiCSKMOS功率（lǜ）模塊和集成功（gōng）率（lǜ）驅動的SiCSKMOSIPM智能功率模塊的研發。SiC功率器件及SiC功率模塊的研發、規模化（huà）量產及銷售，可以有效豐富（fù）公司產品品類，擴大產品的應用（yòng）範圍，提高公司SiC產品的供貨能力（lì），從而提高公司盈利水平。

功率半導體研發工程中心升級（jí）項目將對功率器件（jiàn）和模塊封裝可靠性、SiC高溫封裝（zhuāng）、應用、基於 SiC MOSFET 製（zhì）作光繼電器（Photo MOS）以及數字電源進行（háng）持續（xù）深入（rù）研究。該項目基於公司現有技術進行了前（qián）瞻性布局，有利於提升公司的技術（shù）創新能力，進一步豐富技術儲備。項目的（de）實施（shī）一方麵可以推動公（gōng）司現有產品的優化升級，提升公司產品附（fù）加值；另一方麵可以推動研發成果的成功轉化，有助於豐富公司的產品種類，開拓新的產品應用領域，增強公（gōng）司的盈利（lì）能力。

此外，在器件可靠性考核與測試應用能力方麵，隨著（zhe）可靠（kào）性實驗室及（jí）測試應用（yòng）中心的建設，公司（sī）通過購置先進的測試設備，有利於完備公司可靠性（xìng）考核（hé）能力，有助於提高產品良率，提升出廠產品的質量，更好的滿足和服務於工業級及高可靠領域客戶對產（chǎn）品品質的需求，同（tóng）時，也使得公司具備完善的測（cè）試評價平台，並能（néng）夠有（yǒu）效製作產品（pǐn）應（yīng）用方案，指導客戶更好的使用公司產品（pǐn），從而（ér）有利於產品的市（shì）場推廣。

未來，公司將繼續專注於功率（lǜ）半導體的設計、研發與銷售，堅持“自主創芯，助（zhù）力核心芯片國產（chǎn）化”的發展（zhǎn）定位，聚焦消（xiāo）費電子、工業控製和高可靠領域，在新能源汽車（chē）、光伏能源、軌道交通、智（zhì）能（néng）電網等領域展開布局；在目前掌握（wò）的核心技術基礎上，展開產品係（xì）列化及下遊市場的進一步拓展、延伸。