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上海功成半導體代(dài)理的超結MOS介紹-羞羞视频入口電子

上海功成(chéng)半導體的超(chāo)結MOS介紹

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超結MOS概述(shù)

超結(jié)MOSFET(superjunction MOSFET)是一種(zhǒng)重要的(de)功率半導體器件,為克服傳統平麵MOSFET的局(jú)限性而出(chū)現。傳統平麵MOSFET在高電壓(yā)應用中,高電(diàn)壓需要更厚的漂移區(qū)來承受,但會導致更高的導通電阻(zǔ),增加功率(lǜ)損(sǔn)耗。而超結MOSFET利用創新結構設計,顯著降低了導通電阻,同時維持了高擊穿電壓。

上(shàng)海功成半(bàn)導體超結MOS特點

上海功成半導體(Coolsemi)的高壓超結MOSFET通過先(xiān)進的超結技術和優化結構設計,實現極低(dī)的特征導通電阻(Rdson*A),有效(xiào)提高電源的(de)功率密度和效率。

超結MOS結構設計

垂直結構設計

與傳統的平(píng)麵MOSFET不同,超結MOSFET采用垂直結(jié)構,電流在器件中垂直流動。這種設計能有效利用芯片的厚度來優化電流的流動路徑,從而降低導通電阻。

交替P型和N型區域(yù)

這(zhè)些交替的區(qū)域在器件導通時形(xíng)成了一個高效的電流通道,而在關斷時則能夠分擔電場,使得器件能夠承受更高的電壓。

超結MOS優勢

更低的導通電阻(R)

超(chāo)結(jié)MOSFET的(de)結構設計顯著降低了導通電阻。這意味著在相同電壓等(děng)級下,超結MOSFET能(néng)夠提供更高的效率,減少功率損耗。上海功(gōng)成半(bàn)導體的超結MOSFET也具備此優勢,可有效提高電源效率。

更高的擊穿電壓(BV)

得益(yì)於(yú)其獨特的結構,超結(jié)MOSFET在不增加芯片尺寸的情況下,能夠實現更高的擊(jī)穿電壓,在高壓應用中表現出色。

更好的熱性(xìng)能

低導通電阻意(yì)味著更少的熱量產(chǎn)生,對於需要長時間(jiān)高效運行的應用是一個重要的優勢。

超結MOS應(yīng)用領域(yù)

超結MOSFET在多個(gè)領域廣(guǎng)泛應用,上海功成半導體的超結MOS產品已應用於多個細分市場,具體如下:

應用領域應用場景
開關電源(yuán)超(chāo)結MOSFET的低導通電阻和高擊穿電壓使其非常適合用於開關電源(yuán)中,能夠(gòu)提高轉換效率,減少能量損失2。
電動汽車(EV)被廣泛應用於電機驅動和電池管理係統中,其高效能和優異的熱性(xìng)能能(néng)夠提升整車(chē)的性能和可靠性2。
光伏逆變器光伏逆變器需要處理高電壓和大電(diàn)流,超結MOSFET的性能(néng)優勢使其成為這些係統中的理想選擇,能夠提高能量轉換效率,減少熱量損耗2。
工業自動化在工業自動化領域,超結MOSFET被用於各種電機驅動和電源管理應用中2。
其他(tā)上海功成半導(dǎo)體聚焦新能源、數據中心、汽車電子、智(zhì)能家電以及高端消費電子領域,其超結MOS產品還應用於直流充電樁、通信電源、服務器(qì)電源、便攜式(shì)儲能、戶用儲能、車載PTC等細分市場1。

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