維（wéi）安TOLL封裝的功率MOSFET是（shì）用於大電流應用場景，最優化的（de）封裝。其產品係列最大電流可（kě）達300A以上，主要應用於類似動力BMS、逆變儲能、低速電動車、電動工具、無人機電調、潛航器電機等大電流應用場景。

TOLL 封裝的占位麵積僅為 9.90 mm x 11.68 mm，與 TO-263-7L封裝相（xiàng）比，PCB 麵積可節省 30%。它的外（wài）形僅為 2.30 毫米，占用的體積比TO-263-7L封裝小 60%。

除了尺寸更小外，TOLL 封裝還提供比 TO-263-7引（yǐn）線更（gèng）好的熱性能和更低的封裝（zhuāng）電（diàn）感 (2 nH)。其開爾文源配置確保更低的柵極噪聲和開關損耗，與沒有開爾（ěr）文配置的器件相比，包括開啟損耗 (EON) 降（jiàng）低 60%，確保在具（jù）有挑戰性的電源設計中顯著提高能（néng）效和功率密度（dù），改善電磁幹擾(EMI) 並更（gèng）容易進行PCB 設計。

TOLL封裝產品特點：

● 小管腳, 低剖麵

● 超（chāo）大通流能（néng）力

● 超小的（de）寄生（shēng）電（diàn）感

● 大的焊接麵積

TOLL封裝產（chǎn）品優勢：

● 高效率和低係統成本

● 更少的並聯數量和冷卻需求

● 高功（gōng）率密度

● 優秀的EMI性能

● 高可靠性

TOLL 與TO-263-7L外觀對比

30% footprint reduction !

50% height reduction !

60% space reduction !

TOLL封裝與TO-263-7L封裝的（de）寄生參數對比

維安（ān）TOLL封裝量產產品係列

維安（ān）TOLL封裝產品規劃

維安（ān）TOLL封裝產品的優勢介紹

較高（gāo）的功率密度

新能源產品（新能源（yuán）汽車、儲能及配套應用）與（yǔ）大功率電源及電（diàn）機的快速發展，對產品能效要求進（jìn）一步提高，MOS管需要承受瞬（shùn）間高（gāo）能量通過（guò），並（bìng）需要在（zài）有限的材料物理（lǐ）散熱極限內，達到最高散熱率與最低的熱（rè）阻，在這一極限條件下，TOLL封裝（zhuāng）超低（dī）導通阻抗和寄生電感、以及更出色的EMI表現和熱性能正好滿足（zú）這一發展趨勢要求，其次TOLL封裝實際電路（lù）設計應用中（zhōng）所需的並聯和散熱部件較少（shǎo），可以節省PCB空間，從而提高整體（tǐ）可靠性。

較低的溫升

BMS應用中，在承受持續大電流充放電（diàn）的過程中，MOSFET的溫度表現對於（yú）係統（tǒng）的整體效率和溫度至關重要，TOLL封裝產（chǎn）品WMLL020N10HGS（BVdss 100V, Rdson 2mR max），在26℃環境溫度下，通過持續40A過流能力考驗（yàn）：

通過PCB散熱，溫升僅為61℃；

通過鋁基板散熱，溫升僅為32℃。

PCB散熱

鋁基板散（sàn）熱

較高的短路耐量

BMS和電機控製（zhì）的應用中，MOSFET在短路瞬間，會承受短時間幾十uS~幾百mS的大電流衝擊，瞬（shùn）態功率高達上（shàng）百KW，實驗室（shì）模擬TOLL封裝產（chǎn）品WMLL020N10HGS（BVdss 100V, Rdson 2mR max）在電機高速旋轉中遇到搭接短路時的功率表現。

下圖：示波器波形1CH: Vgs 2CH: Vds 4CH: Ids M1:MOS功耗（hào）

單體短路（lù），VDD=88V 短路最（zuì）大電流1550A，最大耗散（sàn）功率101.5KW。

強壯持續線性工作模式

在線（xiàn）性模式下，MOSFET在飽和狀態或飽和（hé）區域中工作，它表現為柵極電（diàn）壓控製的電流源，與完（wán）全導通（或完全增強）的情況相反（fǎn），MOSFET在線性模式下的漏極-源（yuán）極阻（zǔ）抗相對較高，因而功耗也比（bǐ）較高。在線性模式（shì）下，功率（lǜ）等於漏極電流與漏（lòu）極-源極電壓的乘積(ID × VDS)，兩者數值都比較高，實驗室模擬TOLL封（fēng）裝產品WMLL020N10HGS（BVdss 100V, Rdson 2mR max）在接近直流操作的長脈衝時間測試MOSFET線性模式魯棒性，產品在（zài）線性模式工作條件下的（de）功率（lǜ）能力，均在（zài）理論（lùn）安全工作區 (SOA) 範圍內，防止器件出現任何熱失控。

下圖（tú）：VDS=28V Ids=2.5A 線性模式70W耗散功率（lǜ）持續工作。

超強的電機重載驅動能力

3000W大功率72V電機係統，對於MOSFET器件帶載能力要求苛刻，實驗室模（mó）擬TOLL封裝產品WMLL020N10HGS（BVdss 100V, Rdson 2mR max），6管（guǎn）橋臂MOSFET驅動，上下兩兩交叉（chā）導通，導通（tōng）時一管保持（chí）開啟，一管為PWM調製信號，根據PWM占空比的大小來調整輸出電流的大小。

下（xià）圖：拉（lā）載（zǎi）感性負載，示波器波形1CH:上橋（qiáo）臂Vgs 2CH:上橋臂Vds

六顆MOS拉載72V 42A ，3000W直（zhí）流無刷電機（jī）負載。

下圖：示波器波形1CH: Vgs 2CH: Vds 4CH：Ids M1:MOS功耗；

上（shàng）橋臂MOS能（néng）夠（gòu）承受103V，1300A瞬時功率衝擊。