MOS的閾值電壓VT隨溫度降低。另一（yī）方麵，遷移率（lǜ）μn隨溫度降（jiàng）低，決定Ron的所有主要因素中，Ron隨著溫度升高（gāo）。例如μn(125℃)大（dà）約是μn(25℃)的0.5倍，因此Ron會翻倍。
轉移特性，在低Vg時，由於Vt的主要影響因素降低，所（suǒ）以飽和電流IDsat隨（suí）T增加。在高Vg時，由於主（zhǔ）要的遷移率降（jiàng）低，所以IDsat降低。交點表（biǎo）示為溫度補償點TCP。
當Vc=常數時，溫度係數βT可（kě）表示為（wéi）：
通常，功率MOSFET設計並不是用於工作在夾斷區域（yù），也稱為線性（xìng）區域，如果這麽設計，則TCP下方的工作性能可能導致熱不穩定。在較小的柵極電壓下，由於閾值電壓的溫度依賴性，漏（lòu）極電流隨溫度而增加。
如（rú）果器件在該區域內工作，則（zé）將產生熱點並發（fā）生熱（rè）失控，在較大的柵極電壓下，因為載（zǎi）流子遷移率在高溫下降低，所以漏極電流隨著（zhe）溫度的升高而降低。溝道寬度越大，不穩定區域（yù）越明顯。
當（dāng）將（jiāng）脈（mò）衝功率保持在（zài）相同的值（Spi02）時，功率MOSFET 器（qì）件在不同電（diàn）壓偏置下的溫（wēn）度瞬態變化。器件（jiàn）是（shì）穩定的還是會受到破壞，完全取決於偏置條件，即（jí）漏（lòu）極電壓、漏（lòu）極電流和脈衝（chōng）持續時間，而不僅僅取決於平
均功率。例如，實現6A且VD=15V的90W脈衝電源應用器件是穩定的，但在Vp=30V且Ip=3A時，工作點（diǎn）低於TCP,器（qì）件會受到破壞性的熱（rè）失控。使用電流溫度係數βr=ΔIp/ΔT,可以區（qū）分操作點（diǎn）。根據偏差，使（shǐ）器件保持穩
定的熱點增長。在現代溝槽MOSFET中，單元密度較高並且溝道寬度W較大，線性電路（lù）模式的安全工作區域會減小［Cha16,即使在（zài）開啟或關（guān）閉期間相對較短的電流飽和持續時間也可能導致器件失效（xiào）。
