MOS管，是MOSFET的縮（suō）寫。MOSFET金屬-氧化物半導體場效應晶（jīng）體管，簡稱金氧半（bàn）場效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）。

1.根據控製方（fāng）式選擇使用（yòng）Pmos或Nmos.

2.在選（xuǎn）型時我們最先看的是VDSS最大漏-源電壓 能夠承受的最高的 施加（jiā）電壓 這個電（diàn）壓也決定了每次在電路（lù）裏麵選擇它施（shī）加的電壓等級，也就是我們常說的VDSS等級 。從成本角度考慮，還需要確定所需的額定電壓，即器件所能承受（shòu）的最大電壓。根據實踐經驗，額（é）定電壓應當大於幹線電（diàn）壓或總線電壓（yā），一（yī）般會留出1.2~1.5倍的電壓餘量，這樣才能提供足夠的保（bǎo）護，使MOS管不會失效。就選擇MOS管而言，必須確定漏（lòu）極至源極（jí）間可能（néng）承受的最大電壓，即最大VDS。由（yóu）於（yú）MOS管所能承受的最大電壓會隨溫度變化而變化（huà），設計人員必須在整（zhěng）個工作溫度範圍內測試電壓的（de）變化範圍。額定電（diàn）壓必（bì）須有足夠的餘量覆蓋（gài）這個變化範圍，確保電（diàn）路不會失效。此（cǐ）外，設計工程師還需（xū）要（yào）考慮其他安全因素：如（rú）由開關（guān）電子設備(常見有電機或變壓器)誘發的電壓瞬變。另外，不同應用（yòng）的額定電壓也有所（suǒ）不同；通常便攜式設備選用20V的MOS管（guǎn），FPGA電源為20～30V的MOS管，85～220V AC因為整流後是310V,再加上反向電壓，MOS管VDS應選為（wéi）450～700V。

如下圖（tú）：

2.連續漏電流 這個電流定義在一個額定的結溫 下 它連續（xù）能（néng）夠通過的最大 直流電流 這兩個（gè）參數就決定了 MOS管的應用場（chǎng）合 所以現在的MOS管的話 我們參數基本上看 連續的漏電流 以及最大（dà）的漏源（yuán）電壓。

3.mos的結電容。這個直接決（jué）定你芯片的輸出（chū）損耗，如果（guǒ）輸入過大，芯（xīn）片可能會發（fā）熱嚴重。