碳（tàn）化矽二極管是一種適（shì）用於功率半導體的革命性材料，其物理屬性遠遠優於矽（guī）功（gōng）率器件。重要特點包含榜樣性的電源開（kāi）關特性、沒有反向恢複電流量、溫度（dù）基本上（shàng）不容易危害電源開關（guān）個人行為和規範操作溫度範疇為-55℃至175℃。碳化矽肖特基二極管（SiCSBD）的（de）器件選用了斷勢壘肖特基二極管構造（JBS），能（néng）夠合理減少反（fǎn）方向泄露電流，具有更強的（de）耐髙壓工作能力。

　　碳化矽二極管是一種單極型器件，因而對比於傳統式的矽快修複二極管（SiFRD），碳化矽二極管具備（bèi）理想化的反向恢複特點。在（zài）器件從正指導通往（wǎng）反方向阻隔變換時，基本上沒有反向恢複（fù）電，反（fǎn）向恢複時間（jiān）低於20ns，乃至600V10A的碳（tàn）化矽二極管的反向恢複時間在10ns之內。因而碳化矽二極管（guǎn）能夠工作中在高些的頻率，在同樣頻率下具備高些（xiē）的高效率。另一（yī）個關鍵的特性是碳化（huà）矽二極管（guǎn）具備正（zhèng）的溫度係數，伴隨著溫度的升高（gāo）電阻器（qì）也（yě）慢慢升高，這與矽FRD恰好反過來。這（zhè）促使碳化矽二極管特別適合串聯好用，提（tí）升了係統軟件的（de）安全（quán）係數和可（kě）信性（xìng）。

　　碳化矽二極管是髙壓（yā）迅速（sù）與低輸出功率耗損、耐熱緊密結合的理想化器（qì）件。現階段國際性上陸續研製（zhì）水準較高的（de）多（duō）類型的碳化矽器件。SICSBD做為零修複二極管，對高（gāo）頻率輸出功率電（diàn）源電路有非常（cháng）大改（gǎi）進。碳化矽二（èr）極管與眾不同的高溫特點使（shǐ）其在高溫自然環境的輸出功率運用中具備潛在（zài）性優點。碳化矽二極管因髙速trr而使（shǐ）開（kāi）關損耗減少，加上VF的改進（jìn），在輸出功率二極管中能夠說成耗（hào）損最少的二極管。碳化矽二極（jí）管因VF減少，而完成更低通斷耗損。順向特點數據圖表的鮮紅色波型是第一代SiC-SBD，深藍色是第二代，可確（què）定VF的減少。

　　碳化矽二極（jí）管（guǎn）的各類（lèi）性能指標（biāo）均優於一般雙極二（èr）極（jí）管技術性。碳化矽二極管通斷與關閉情況的變換速率十分快，並且沒有一般雙（shuāng）極二極管技術性電源開關時的反向恢複電流量。在清除反向恢複電流量效用後，碳化（huà）矽二極管的耗能減少70%，可以在寬溫度範圍內維持高能耗等級，並提升設（shè）計方案工作人員優化軟件輸出功率的協調能力。

　　上述所講解的就是碳化矽二極（jí）管的應（yīng）用（yòng）優勢，希望看完能夠對您有所幫助，如果您想要了解更多關於碳（tàn）化矽二極管的相關（guān）信息的話，歡迎在線谘詢客服或是撥打本公司服務熱線（網站右上角）進行谘詢（xún），我們將竭誠為（wéi）您提供（gòng）優質（zhì）的服務！