肖特基二極管是以其發明者肖特基博士的名字命名的，SBD是肖特基二極管(SBD)的簡稱。SBD不是利用P型半導體（tǐ）和N型半導體接觸形成PN結的（de）原理，而是利用金屬-半（bàn）導體接觸形（xíng）成金屬-半導體結的原理（lǐ）。因此，SBD也被稱為金屬半導體(接觸)二極管或表麵勢壘二極管，它是一種熱載流子二極管。
肖特基二極管是由（yóu）貴金屬(金、銀、鋁、鉑等)製成的金屬半導體器件。)A作為（wéi）正電極，N型半導體B作為負（fù）電極，並利（lì）用在兩者的接觸表（biǎo）麵（miàn）上形成的勢壘的（de）整（zhěng）流特性。因為在N型半導體中有大量的電子，而在（zài）貴金屬中隻有（yǒu）非常（cháng）少量的自由電（diàn）子，所以電子從高濃度的B擴散到低濃度的A。顯然，在金（jīn）屬A中沒有空穴，因（yīn）此沒有空穴從A到B的（de）擴（kuò）散運動。隨著電子繼續從B擴散到A，B表麵上的電子濃度（dù）逐漸降低，表麵的電中性被破壞，從而形成（chéng）電場方向為B A的勢壘。然而，在該電場（chǎng）的作用下，A中的電子也將產生（shēng）從A到B的漂移運動，從而削弱由擴散運動形成的電場。當建立一定（dìng）寬度的空間電（diàn）荷區時，電場引起的電子漂移運動和不同濃度引起的電子擴散運動達（dá）到相（xiàng）對平衡，從而形成肖特（tè）基勢壘（lěi）。
典型的肖特基整流器的內部（bù）電（diàn）路結構基（jī）於N型半導體，在（zài）其上形成摻雜有砷的N外延層。陽極由鉬或鋁和其他材料製成，以形成阻擋層。二氧化矽(二氧化矽)用於消除邊緣區域的電（diàn）場並提高管的耐壓性。該N型襯底具有非常小的（de）導通（tōng）電（diàn）阻，並且（qiě）其摻雜濃度比（bǐ）H層的（de）摻雜濃度（dù）高100%。在襯（chèn）底下麵形成一個氮陰極層，以降低陰極的（de）接觸電阻。如圖所示，通（tōng）過調整結（jié）構參數，在N型襯底和陽極（jí）金屬之間形成肖特基勢壘（lěi）。當正向（xiàng）偏置電（diàn）壓施加到肖特基（jī）勢壘的兩端時(陽極金屬（shǔ）連接到電源的陽極，並且N型襯底連接到電（diàn）源的陰極)，肖特基勢壘層變得更窄，並且其內部（bù）電（diàn）阻變（biàn）得（dé）更小。另一方麵，如果反向偏壓被（bèi）施加到肖特基（jī）勢壘的兩端，肖特基勢壘層變寬，並且其內（nèi）部電阻變大。
肖特基整流管的結構原理與PN結整流管有很大不同。PN結整流（liú）管通常被稱為結整流管（guǎn），而金屬半導管整流管（guǎn）被稱為肖特基整流管。用矽平麵工藝製造的鋁矽肖特基（jī）二極管也已問世，它不僅（jǐn）可（kě）以節約貴金屬（shǔ），大大降低成本，還可以提高參數的一致性。
上述所講解的就是
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