碳化矽早在1842年就被發覺了，但因其製（zhì）取時（shí）的加工工藝難（nán）度係數大，而且元（yuán）器件的產出率低，造成了價錢較高（gāo），這危害了（le）它（tā）的運用。直至1955年，生長發育高質量碳化矽（guī）的方式出現推動（dòng）了碳化矽二極管原材料的發展趨勢，在航空航天、航空公司、雷達探測和核能發電開發設計的行業獲得運用。80年代，產品化生（shēng）產製造的SiC進（jìn）到銷售（shòu）市場，並運用於原油地暖的勘查、變頻（pín）空調的開發設計、平板電視機的（de）運用及其太陽能發電轉換的行業。

　　碳化矽二極（jí）管的出現極大地改進了集成電路工藝的特性，考慮社會經濟和國防（fáng）建設的必（bì）須，現階段，英（yīng）國、法國、德國、日本國等資本主義國家正爭相資金（jīn）投入重金對碳化矽原材料和元器件開展（zhǎn）科學研究。美國防（fáng）部從二十世紀90年代就剛開始適用碳化矽電力電子器件的科學研（yán）究，在1991年就取得成功（gōng）科學研究出了阻隔工作電壓（yā）為400V的肖特基二極管。

　　碳化（huà）矽二（èr）極管於二十一世紀初變成第一例社會（huì）化的碳化矽電力工程電子元器件。英國Semisouth企業研發（fā）的SiCSBD（100A、600V、300℃下工作中）早已用在英國皇家空軍多電飛機場。由碳化矽SBD組（zǔ）成的功率（lǜ）模（mó）塊可在高溫、髙壓、強輻射源等極端標準下應用。現階（jiē）段反方向阻隔工作電壓達到（dào）1200V的產品係列，其額定電（diàn）壓可做到20A。碳化矽SBD的產品研發早已做到髙（gāo）壓元器件（jiàn）的水（shuǐ）準，其阻隔工作電壓超出10000V，大電流（liú）量元器件通態電流量達（dá）130A的水準。

　　碳化矽二極管的擊穿場強很高，電源開關（guān）速率迅速（sù），淨重（chóng）很輕，而且容積不大，它在3KV之上的鎮流器主要用途更為（wéi）具備優點。2001年Cree企業研發出19.5KV的櫥櫃台麵PiN二極管，同一階段日本國的Sugawara調研室（shì）也科學研（yán）究出了12KV的櫥櫃台麵PiN二極管。2006年Cree企業（yè）報導了（le）10KV、3.75V、50A的SiCPiN二極管，其10KV/20APiN二極管係列產（chǎn）品的達標率（lǜ）早（zǎo）已做（zuò）到（dào）40%。

　　上述所講解的就是碳化矽二極管的行業發展趨勢，希望看（kàn）完能夠對您有所幫助，如果（guǒ）您想要（yào）了解更多關於碳化矽二極（jí）管的相（xiàng）關信息的話，歡迎在線谘詢客服或是撥打本公司服務熱線（xiàn）（網站右上角（jiǎo））進行（háng）谘詢（xún），我們將竭誠為您提供優質的服務！