碳化矽材料（liào）(SiC)有著擊穿場強高、禁帶寬（kuān）度大、飽和電子漂移速度大、熔點和熱導率高的（de）優點，其電學和物理特性決定了SiC半導體器件有著（zhe）高耐壓、低漏電（diàn）、高結溫、高可靠性的優點，十分適（shì）合用在汽車（chē）、工（gōng）控、航天等領域。

碳化矽肖（xiāo）特基(SiC SBD)二極管是以碳化矽為材（cái）料設計製作的肖特基二極管（guǎn），與（yǔ）矽器（qì）件相比，擁有更（gèng）佳的開關性能和更高的可靠性。SiC二極（jí）管沒有（yǒu）反向恢複電流，開關性能與溫（wēn）度無關，並且有著極佳的熱（rè）性能、極高的（de）功率密度，帶來了係統尺寸的減小和成本（běn）的降低，使（shǐ）SiC成為越來越多高性能汽車應用的（de）最優選擇（zé）。

在新能（néng）源汽車（chē）中，SiC二極管在車載充電（diàn）機（OBC）已（yǐ）經得到了廣泛應用。OBC和地麵直流快充樁功能類似，都是將電網（wǎng）中的交流（liú）電轉換成直流電，然後給汽車的電池組（zǔ）充電。

OBC典型的線路結構是由前（qián）級功率因數校正（PFC）和後（hòu）端DC/DC轉換電路組成。針對單向OBC，這種功能由於隻提供從電網到汽車的輸電。整個功能塊中不管是前端還是後端，都會用到碳化矽二極管（D1-D6），共6個，其在電路中的作（zuò）用如（rú）下：

1、輸入端PFC電路（lù）中，SiC二極管作為（wéi）升（shēng）壓和整流二極管應用；

2、輸出端DC-DC次級側電路中，SiC二極管（guǎn）作為高（gāo）頻（pín）整流應用。

OBC單元會（huì）根據整個電池的健康狀態（tài）和電荷狀態，改變電壓和電流。隨著現在 OBC從單相220V到三相380V的發（fā）展來看，DC/DC次級器件的電壓（yā）會有所升高，會從目前的650V二極管轉變成1200V。

維安車規SiC二極管從原材（cái）料指定、芯片設計以及封（fēng）裝要求進行了整體優化。

在原材料選擇上鎖定世界一流大廠，且對襯底缺陷有著（zhe）嚴格的要求和（hé）監控。在設計理念上（shàng）器件更注重大浪湧，高耐壓（yā）和低漏電。浪湧（yǒng）水平比同行業高（gāo）20%，擊穿（chuān）耐壓高工控產品50V以（yǐ）上。漏電上限（xiàn）是國外一線大廠的1/2。器件的高耐壓、高浪湧、低漏（lòu）電特性（xìng）決定了器件可以適應嚴苛的應（yīng）用。

在封裝的（de）設（shè）計上，焊料的選擇、打線材料（liào）的選擇以及塑（sù）封料的選擇，均（jun1）做了特殊的設計。在產品的在線管控上，配（pèi）合芯片設計做出漏電和耐壓測試規範的優（yōu）化，比如：650V係列（liè）產品VB下（xià）限值高（gāo）於800V，1200V係列產品VB下限值高於1350V，且兩類（lèi）產品（pǐn）的漏電進行了加嚴管控，以1200V 10A為例的漏電縮小到3μA ，其（qí）漏電Max遠遠優於國際一流廠商。且車規產（chǎn）品引入芯片級在（zài）線100%老（lǎo）化，會在芯片級測試時（shí）候，其（qí）VF方向加（jiā）一個（gè）額定電流，對器件進行老化（huà），其之（zhī）後再進行擊穿電壓和漏電測試，以便有效剔除有缺陷的芯片。

在封裝後，成品測試添加100% 100℃高溫測試，並全部進行（háng）100%反向浪湧測試篩選和電鍍前回（huí）流焊篩選（xuǎn），以及出（chū）貨前TC篩選，以便提升器件的穩定性和可靠性，使其可以在汽車上惡劣的工作環境（jìng）下保持穩定。

器件按照（zhào）車規級可靠性進行評估驗證，車載係列產品已經轉為量產。

維（wéi）安車規碳化（huà）矽肖特基產品已（yǐ）經完成係列化，產品涉及650V、1200V、1700V、等多個電壓檔位；封裝涉及TO247-3、TO247-2等封（fēng）裝（zhuāng）形式。

值得一提的是，維安在第三代半導體市場積（jī）極進行（háng）開（kāi）拓，已（yǐ）經為國內外新能源汽車客戶供應過SiC肖特基產（chǎn）品。同時，維（wéi）安SiC肖特基的在手未來訂單也在持續提升，公司著眼（yǎn）於快速增長的第三（sān）代半導（dǎo）體市場，依托國家級技術（shù）創新平台，吸納整合產業鏈各環節上的（de）優勢企業。加強前端芯片設計企業與後端代工、封（fēng）裝的（de）全（quán）麵協作，確保從設（shè）計（jì）到（dào）封裝的高質量發（fā）展。