上海維安（WAYON），作為電路（lù）保護與功率控製解決方案的領（lǐng）先提供商，專注於電路保護元器件、功率半導體分立器件及模（mó）擬集成電路的設計、製造與銷售（shòu）。其中，其MOS管（guǎn）係列產品在行業內享有盛譽，特別是WMJ36N65F2、WMJ53N65F2及WMJ90N65SR這三（sān）款（kuǎn）超結MOSFET，憑借其卓越的性能和廣泛的應（yīng）用領域，深受（shòu）市場歡迎。以（yǐ）其出色的特（tè）性，成為眾多電子工程師和設計師的理想選（xuǎn）擇。

WMJ36N65F2

WMJ36N65F2是一款N溝（gōu）道超結MOSFET，專為高電（diàn）壓、高功率應用設（shè）計。其主要參數包括：

• 封裝：TO-247，這種封裝形（xíng）式確保了良好的散熱性能和機械強度，適合高（gāo）功（gōng）率應用。

• 漏源電壓（VDS）：650V，表（biǎo）明其能承（chéng）受高達650V的電壓，適用於高壓電路（lù）。

• 漏極（jí）電流（ID）：在25℃下（xià）可達36A，表明其在（zài）大電（diàn）流條件下仍能穩定工作。

• 導通電阻（RDS(on)）：在VGS=10V時，僅為0.105Ω，低導通電阻有助於減少功（gōng）耗，提高效率。

• 開啟電壓（VGS(th)）：典型值為4V，較低的開啟電壓（yā）意味著更低的驅動需（xū）求，適用於多種驅動電路。

WMJ36N65F2因其出色的電氣（qì）特性和熱穩定性，能夠快速響應電（diàn）路中的信號變化，從而提升（shēng）整個（gè）係統的工作速度。廣泛應用於開關電源、電機（jī）驅動、逆變器及太陽能逆（nì）變器等高電壓、大電流場景。

WMJ53N65F2

WMJ53N65F2同樣（yàng）是上海維安推出的一款高性能N溝（gōu）道超結MOSFET，其主要特點包括（kuò）：

• 封裝：同樣采用TO-247封裝，保證了良好的散熱和（hé）機械性能。

• 漏源電壓（VDS）：與WMJ36N65F2相同，均為650V，適用於高壓環境。

• 電氣特性：雖然（rán）具體參數可能因批次不同（tóng）而略有差異，但整（zhěng）體性能（néng）與（yǔ）WMJ36N65F2相近，適合類似的（de）應用場景。

在導通電阻方麵，WMJ53N65F2 進一步優化，實現了更低的阻值，從（cóng）而在大功率工作條件下（xià）依（yī）然（rán）能夠保持高效的能量轉換（huàn）。其快速的開關速度和良好的熱穩定性，使（shǐ）其（qí）在電源管理、電機驅動等領域表現出色。WMJ53N65F2憑借其優異的電氣性能和穩（wěn）定性，在電力電子領域有著（zhe）廣（guǎng）泛的應（yīng）用，尤其是在（zài）需（xū）要高可靠性和高效率的電源係統中。

WMJ90N65SR

WMJ90N65SR作為維安MOS管係（xì）列中的高端產品，其性能參數更為突出：

• 漏極電流（ID）：在（zài）25℃下高達99A，遠高於WMJ36N65F2和WMJ53N65F2，適用於（yú）更大電流的應用場景。

• 導通電阻（RDS(on)）：在VGS=10V時僅為（wéi）0.03Ω，是這三款產品中最低的，進一步（bù）降低了導通損耗，提高了係統效率（lǜ）。

• 開啟電壓（VGS(th)）：典型值為3.5V，同（tóng）樣保持了較低的開啟電壓，便於驅（qū）動。

WMJ90N65SR憑（píng）借其高（gāo）電流承載能力和極低的導通電阻，特別適用於對功率要求極（jí）高的應用：大功率電源、電動汽車充（chōng）電站、工業逆變器等高要求的應用領域。

無論是 WMJ36N65F2、WMJ53N65F2 還是（shì） WMJ90N65SR，上（shàng）海維（wéi）安在設計和製（zhì）造（zào）過程中都嚴格遵循了高質量標準，確（què）保了產品的穩定性和可靠性。這些 MOS 管不僅在性能上表現出色，而且在封裝形式上也提供了多種選擇，以滿足不（bú）同客戶的安裝和使用需求。