WMJ53N65F2 MOSFET參數詳解

基本信息

WMJ53N65F2是（shì）一款由WAYON生（shēng）產的（de）N溝道超級結（jié）（Super Junction）MOSFET，具有以下基本參數：

• 型號：WMJ53N65F2

• 製造商：WAYON

• 封裝形式（shì）：TO-220F

• 漏極至源極電壓（VDS）：650V

技術參（cān）數

電氣特（tè）性

• 導通電阻（zǔ）（RDS(on)）：在VGS=10V（最大值）時，RDS(on)為0.078Ω。

• 漏極電流（ID）：在TA=25℃時，ID為（wéi）50A。

• 功率損耗（PD）：在TA=25℃時，PD為34W。

• 柵極電壓（VGS）：典型值（zhí）為3V。

• 開啟閾（yù）值電壓（VGS(th)）：典型值為3V。

• 市場供（gòng）應（yīng）信息

• 供應商：東莞市羞羞视频入口電子有限公司

  主營業務：專注於銷售功（gōng）率半導體元器件，包括進口semihow和維安 亞成微 龍騰等多種MOSFET產品。

• 維安超結MOSFET
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