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WMJ90N65SR

WMJ90N65SR
產品參數

維安(ān)產(chǎn)品(pǐn)選型報價送樣 聯係人: 曾先生 153-3800-0102

產品詳情


WMJ90N65SR MOSFET參數詳解

基本信息

  • 製造商:Wayon(維安) 代理商(shāng):東莞市羞羞视频入口電子有限公(gōng)司單價優勢明顯

  • 類型:N溝道超(chāo)級結(Super Junction MOSFET)

  • 封裝:TO-247

  • 漏極至源極電壓(VDS):650V

技術(shù)參數

  • 導通電阻(RDS(on)):在VGS=10V最大值時為0.03Ω

  • 漏極電流(ID):在TA=25℃時為99A

  • 功率耗散(PD):在TA=25℃時為460W

  • 柵極電壓(VGS):典型值為3.5V

  • 開啟閾值(zhí)電壓(VGS(th)):典型值為3.5V

優勢特點

  • 低功耗(hào)和(hé)高開關速度:由於其超級結結構,WMJ90N65SR具有非常低(dī)的導通電阻(RDS(on)),使得它在導(dǎo)通時(shí)損耗極小,從而實現了高效(xiào)的能量轉換。

  • 高電流承載能力:在標準工作(zuò)條件下,WMJ90N65SR能(néng)夠安全地(dì)處理高達99A的漏極電流。

  • 體積小巧:相比傳統的VDMOS工藝,WMJ90N65SR的晶源麵積更小,這使得封裝出(chū)來的產品體積相對較小,有利於(yú)提高(gāo)電源(yuán)係統的功率密度。

電源產品(pǐn)

在(zài)電(diàn)源產品中,WMJ90N65SR因其出色的(de)導通損耗(hào)和溫升性能,被廣泛應用於大功率、大(dà)電流類的電源產品中。其低導通損(sǔn)耗(hào)大大提高了電源效率,減少了散熱器的體積需求,從而提高了係統的整體效率和可靠性。

LED照明

在LED照明領域,WMJ90N65SR的高效率和低功(gōng)耗特性使其成為(wéi)理想的驅動器件。它不僅能夠提供穩定的電流和電壓,還能有效減少能量損失,延長LED的(de)使(shǐ)用壽命。

購買建議

在選擇WMJ90N65SR MOSFET時,建議通過正規渠道購(gòu)買,以確保產品的質(zhì)量和售後服務。例如,東莞(wǎn)市羞羞视频入口電(diàn)子有限公司都是不錯的選擇,他們提供的產品具有良好的性能和可靠(kào)的服務。

市場供應信息

供應商:東(dōng)莞市羞羞视频入口電(diàn)子有限公司
主營業務:專注於銷售(shòu)功率半導體元器件,包(bāo)括進口(kǒu)semihow和維安 亞(yà)成微 龍騰等多種(zhǒng)MOSFET產品。
聯係人: 曾先生 153-3800-0102



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