維安超結MOSFET 聯係人： 曾（céng）先生 153-3800-0102
製造商：Wayon（維安）
型號：WMJ36N65F2
描述：N-Channel SJ-MOSFET
封裝類型：TO-247
最大漏極電壓 (VDS)：650V
導通電（diàn）阻 (RDS(on)) @ VGS=10V(max.)：0.105Ω
漏極（jí）電流 (ID) @ TA=25℃：36A
功率損耗 (PD) @ TA=25℃：277W
柵極電壓 (VGS)：30V
柵極閾值電（diàn）壓 (VGS(th))：(Typ.) 4V
供應商：東莞市（shì）羞羞视频入口電子有限公司
主營業（yè）務：專（zhuān）注於銷（xiāo）售功率半導體元器件，包括進口semihow和維安 亞成微 龍騰等多種MOSFET產品。
製造商：Wayon（維安）
型號：WMJ36N65F2
描述：N-Channel SJ-MOSFET
封（fēng）裝類型：TO-247
最大漏極電壓 (VDS)：650V
導通電（diàn）阻 (RDS(on)) @ VGS=10V(max.)：0.105Ω
漏極電流 (ID) @ TA=25℃：36A
功率損耗 (PD) @ TA=25℃：277W
柵極電壓 (VGS)：30V
柵極閾值電（diàn）壓 (VGS(th))：(Typ.) 4V
供應商：東莞市羞羞视频入口電子有（yǒu）限公司
主營業（yè）務：專注於銷售功率半導體元器件，包括進口semihow和維安 亞成微 龍騰等多種MOSFET產品。
Tel: +86-769-21665206
Fax: +86-769-21665256
網（wǎng）址：www.qhgyxx.cn
總公司地址:廣東省東莞市（shì）萬江街（jiē）道華爾泰路2號五盈科技園5棟3層
經營產品：碳化矽器件、IGBT單（dān）管、IGBT模塊、肖特基/整流橋堆、低壓MOS、超結MOS
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