VDMOSFET（平麵MOS）全稱垂直型雙擴散金屬氧化物半導體場效應晶（jīng）體管（Vertical Double-diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor），它具有高（gāo）輸入阻（zǔ）抗，開關速度快，熱（rè）穩定性好等優點，同時具有正溫度（dù）係數和良好的電流自調節能（néng）力。

維安VDMOS的產品優勢及特點

在VDMOSFET的設計中，維安重點優化耐壓和導通（tōng）電阻的矛盾，提高耐壓並兼顧低導通電阻；同時（shí）降低Qg及開關（guān）損耗。維（wéi）安VDMOSFET通過優化設計提高雪崩耐量、拓寬安全工作區進而提（tí）高通用性（xìng）和耐用性。針對工業控製等高可靠應用（yòng）場景，維（wéi）安開發高（gāo）質量的氮化矽鈍化層工（gōng）藝，顯（xiǎn）著提高（gāo）器件的可靠性。

依托維安成熟（shú）的電源及工業控製客（kè）戶群，維安開發（fā）了200V-1500V的VDMOSFET產（chǎn）品，電流涵蓋2A~40A，封裝涵蓋TO-251，TO-252，TO-262，TO-220/F，TO-247，TO-3PF等；

VDMOS被廣泛應（yīng）用於適配器、LED驅動電源、TV電源、工業控製、電（diàn）機調速、音頻放大、高頻振蕩器、不間斷電源、節能燈、逆變器等各個領域。

維安MOS管-功率半導體作為電力係統的重要組成部分，是提升能源效率的決定性因（yīn）素（sù）之一。未來維安會（huì）結合客戶應用開發更多的VDMOS新規格、新（xīn）封（fēng）裝（zhuāng）；比如高（gāo）壓300V，400V快恢複係列等規格。為（wéi）客戶提（tí）供更多（duō）選擇，以在高性能效率轉換、高可（kě）靠應用場合實（shí）現效率、功（gōng）率密度和可靠性的最佳組合（hé）。