目前MOS工藝主要分為三類：Trench MOSFET / High-Performance-Advanced Trench MOSFET / Super Junction MOSFET

1 Trench MOSFET： 溝槽工藝，具（jù）有導通電阻小，寄生電容小（xiǎo），開關速度快等優點。

2 High-Performance-Advanced Trench MOSFET： SGT工藝（yì），是（shì）屏蔽（bì）溝槽工藝，屏蔽深溝槽工藝，這個是基於傳（chuán）統溝槽式 MOSFET（U-MOSFET）的一種改進型的溝槽式功率（lǜ） MOSFET。相比於（yú）傳統 U-MOSFET 功率器件，它的開關速度更快，開關（guān）損耗更低，具有（yǒu）更好（hǎo）的器件性（xìng）能。

3 Super-Junction MOSFET：超結MOSFET，具有更低的（de）通（tōng）態阻抗，更低的傳導（dǎo）損耗，更低的（de）開啟（qǐ）電壓，更快的開（kāi）關速度，更低的柵極電荷Qg等。它的（de）缺點（diǎn），在開關電源係統應用會（huì）出現EMI可能超標；柵極（jí）震蕩；抗浪湧及耐壓（yā）能力差；漏源極（jí）電壓尖峰比較大等等（děng）。