mos管一般就是pmos，靠空穴流動（dòng）運送電流的（de）mos管。那（nà）要如何選擇一（yī）個合適的mos管呢？

　　一、選擇n溝道還是p溝道（dào）。在典型的功率應用中，mos管接地，負荷連（lián）接到幹線電（diàn）壓時，該mos管管構成低壓側開關。在低壓側（cè）開關中，應采用n溝道mos管，這是關閉或導通部件所（suǒ）需的電壓。mos管連接到總線和負荷接地時，請（qǐng）使用高壓側開關。通常在這個中采用p溝道的mos管，也是為了考慮電壓驅動。選擇適合應用的設備，必須（xū）確（què）定驅（qū）動設（shè）備所需的電壓和設計中比較（jiào）簡單的執行方法（fǎ）。

　　二、確定額定電流。根據電路結構，這個額定（dìng）電（diàn）流應該是所有情況下都能承受的較大（dà）電流。與電壓狀況類似，設計人員務必確保選用的mos管能（néng）夠承種額定電流，即（jí）使係統產生尖峰電流。兩個考（kǎo）慮的電流狀況是連續模式和脈衝高峰。在連（lián）續導（dǎo）向模式下，mos管穩定，此時電流連續通過設備。脈衝尖峰是指大（dà）量電湧(或尖峰電流)流過設（shè）備。隻要確定了這些條件下的（de）較大電流，就可以直接選擇能夠承受這個（gè）較大電流的設（shè）備。

　　三（sān）、計算（suàn）導通（tōng）損失。實際上，mos管不是理想的（de）設備。因為在導電過（guò）程中（zhōng）會（huì）產生電力損失（shī），所以被稱為導電損失（shī）。mos管在“導通”時像（xiàng）可變電阻，由設（shè）備的RDS(ON)決定，隨（suí）著溫度而顯著變化。設備的功力消耗可以（yǐ）用Iload2×RDS(ON)計算，由於導通電阻隨溫（wēn）度的變化，電力（lì）消（xiāo）耗也會按比例變化。對mos管施加的電壓VGS越（yuè）高（gāo），RDS(ON)越小（xiǎo），RDS(ON)越（yuè）高。對於係統（tǒng）設計（jì）者來說，這是根據係（xì）統的電壓需要折中權衡的地方。在便攜式（shì）設計中，采用較低的電（diàn）壓更容易(更常見)，而對於工業設（shè）計，可以使用較高的電壓。請注（zhù）意RDS(ON)電阻（zǔ）隨電流稍微上（shàng）升。RDS(ON)電阻的各種電（diàn）參數變（biàn）化可以在製（zhì）造商（shāng）提供的技術（shù）資料表中找到。

　　四、確（què）定熱要求。設計人員必須考慮兩種不同的情況，建議采用很不好的情況計算結果。因為這個結果提供了更大的（de）安全餘量，所以係統不會（huì）失效（xiào）。mos管的資料（liào）表上有需要注意的測量數據，例如包裝部件的（de）半導體結（jié）和環境之間的熱阻和較大結溫。

　　設備的結溫等於環境溫度極限和熱阻和功率消（xiāo）耗的乘積(結溫=較大環境溫度+[熱（rè）阻×功（gōng）率消耗])。根（gēn）據該方（fāng）程可以解決係統的較大功率消耗，即根據定（dìng）義（yì）相（xiàng）當於I2×RDS(ON)。設計者決定通過設備的較大電流，因此可以（yǐ）計算不同溫度的RDS(ON)。值得注意的是，在處（chù）理簡單的熱模型時，設（shè）計者還（hái）必須考慮半導體結/設備外（wài）殼和外殼/環境的（de）熱容量，即印刷電路板和封裝不會立即升溫。

　　五、決（jué）定（dìng）開關的性能。影響開關性能的（de）參數有很多，但重要的是柵極/漏極、柵極/源和漏極/源極電容器。這些電容器在（zài）設備中產生開關損失。因（yīn）為每次開關都要充（chōng）電。mos管的開（kāi）關（guān）速度下降，設備效率（lǜ）也（yě）下降。為了計算開關中（zhōng）設備的總損失，設計（jì）者必須計算開關中的損失(Eon)和關閉（bì）中的損失(Eoff)。MOSFET開（kāi）關的總功（gōng）率如下:Psw=(Eon+Eoff)×開關頻率。柵（shān）極電荷(Qgd)對開關性能的影響非常大（dà）。

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