MOS管（guǎn）的英文全稱叫MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)，即（jí）金屬（shǔ）氧化（huà）物半導體型場效應管，屬於場效應管中的絕緣柵型。因此，MOS管有時被稱為絕緣柵場效應管。在（zài）一般電子電路中，MOS管通常被用於（yú）放大電路或開（kāi）關（guān）電路（lù）。

三極管（guǎn）和MOS管的原（yuán）理並不複（fù）雜，但是分開講述細節，反而不如對比起來容易理解。這裏用一張（zhāng）圖，讓（ràng）您輕鬆理解MOS管和三（sān）極管的工作原理。

一張圖對比（bǐ）MOS管及三極（jí）管的工作原理

這裏以NMOS和NPN三極管為例，並且以電子流（liú）（而非電流）方向為主來說（shuō）明。

一、符號

MOS管一般可以簡化為三個極，分別是柵（shān）極（jí）（G）源極（S）和漏極（D），MOS器件是電壓控製型（xíng）器件，用柵極電（diàn）壓來控製源（yuán）漏的導通情況；

BJT三極管有三（sān）個極，分別是基極（B）發（fā）射極（E）和集電（diàn）極（C），三極管是電流控（kòng）製型（xíng）器件，用基極電流來控製發射極與集電極的導通情況；

二、截止區（qū）

NMOS管的如果柵壓小（xiǎo）於閾值電壓，MOS管相當於兩個背靠背的二極管（guǎn），不導通（tōng）；NPN三極管也一樣，如果（guǒ）偏壓小於閾值電壓，也相當於兩個背靠背的二極（jí）管，不導通（tōng）；

三、線（xiàn）性區

NMOS如果柵（shān）上加（jiā）正電壓（yā），就會在（zài）其下（xià）感應出相反極性的負電荷（hé），從而（ér）產生N型溝道，使源漏導（dǎo）通。如果不考慮（lǜ）源漏（lòu）電壓影響，則柵壓高一（yī）點，產生（shēng）的溝道就寬一點，導通（tōng）能力就大一點，這就（jiù）是線性區。

NPN管（guǎn）如果BE結（jié）加正向偏置導通，電子就（jiù）會進入到基區。除了被基（jī）區（qū）的P型空穴俘（fú）獲外，它們有兩個地（dì）方可以去：一個是從基極流出（chū），一個是被集電極更高的正電壓吸收。集電極電壓（yā）越高，能收集到的電子（zǐ）就會（huì）越（yuè）多，這（zhè）也是線性變化的。

四、飽和區

NMOS在漏極電壓比較高時，會使溝道夾斷，之後即使電壓（yā）升高，電流不會（huì）再升高，因此叫做飽和區；

NPN三極管在集電極電壓比較（jiào）高時，也（yě）會幾乎全部收集（jí）到從發射極過來的電子，電（diàn）壓再升高也沒有辦法（fǎ）收（shōu）集到更多，也是它（tā）的飽和（hé）區。

五、電流電壓曲（qǔ）線

在線性區，隨著電壓升高（gāo），源漏電流或集（jí）電極電流（liú）上升。而在飽和區電壓升高，電流基本都保持不變。二者的趨勢基本一致。