CoolMOS的使用是一個趨勢，因為平麵（miàn）MOS已經不能滿足（zú）電源的效率溫度等需求。

CoolMOS的應用優勢

1.導（dǎo）通阻抗小，導通損耗小

由於SJ-MOS 的Rdson 遠遠低於VDMOS，在係統（tǒng）電（diàn）源類產品中SJ-MOS 的導通（tōng）損耗必（bì）然較之VDMOS要減少的多。

其大大提高了係統產品上麵的單體MOSFET 的導通損耗，提（tí）高了係統（tǒng）產品的效率，SJ-MOS的（de）這（zhè）個優點在大功率、大電流類的電源產品產品（pǐn）上，優勢表現的尤為突出。

2.同等功率規格下封裝小，有利於功率密度的提高

首先，同等（děng）電流以（yǐ）及電壓規格條件下，J-MOS 的晶源麵積要小於VDMOS 工藝的晶源麵積，這樣作為MOS 的廠家（jiā），對於同（tóng）一規格的產品，可以封裝出來體積（jī）相對較小的產品，有利（lì）於電源係統功率密度的提高（gāo）。

其次，由於SJ-MOS 的導通損耗的降低從而降低了電源類產品的（de）損耗，因為（wéi）這些損耗（hào）都是以熱量（liàng）的形式（shì）散（sàn）發出去，我們在實際中往往會增加散熱器來降低MOS 單體的溫升，使其保（bǎo）證在合適（shì）的溫度（dù）範圍（wéi）內。

由（yóu）於SJ-MOS 可以有效的減少（shǎo）發熱量，減小了散熱（rè）器的體積，對（duì）於一些功率稍低的（de）電源，甚至使用SJ-MOS 後可以將散熱器徹底拿掉。有效的提高（gāo）了係統電（diàn）源（yuán）類產品的功率密度（dù）。

3.柵電荷小，對電路的驅動能力要求降低

傳統VDMOS 的柵（shān）電荷（hé）相對較（jiào）大，我們在實際應（yīng）用中經常（cháng）會遇到（dào）由於（yú）IC 的驅動能力不足造成的溫升問題，部分產品在（zài）電路設（shè）計中（zhōng）為了增加IC 的（de）驅動能力，確保MOSFET 的快速導通（tōng），

我（wǒ）們不得不增加推挽或其它類型的驅動電（diàn）路，從而增加（jiā）了電路的複雜性。SJ-MOS 的柵電（diàn）容相對（duì）比較小，這樣就可以降低（dī）其對驅動能力的要（yào）求，提高了係統產品的可靠性。

4.節電（diàn）容小，開關速度加快，開關損耗小

由於（yú）SJ-MOS 結構的改變（biàn），其輸出的節電容也有較大的降低，從而（ér）降低了其導通及關斷過程（chéng）中的損耗。同時由於（yú）SJ-MOS 柵電容也有了響應的減（jiǎn）小，電容充電時間變短，大（dà）大的提高了SJ-MOS 的開關速度。

對於頻率（lǜ）固定的電源來說，可以有效的降低（dī）其（qí）開通及關斷損耗（hào）。提高整（zhěng）個電（diàn）源（yuán）係（xì）統的效率。這一（yī）點（diǎn）尤其在頻率相對較高的電源上，效果更加明（míng）顯。

MOS在發展，損耗會越（yuè）來越低。電源方（fāng）案隻會朝著更高效率和（hé）更小體積發展。

Coolmos的宗旨是追求：開（kāi）關低損耗。在（zài）Coolmos上，是通過P柱，形成更大（dà）的PN結（jié），從而降低Rds。Coolmos降低了Rds，所以它的EAS能力較之平（píng）麵管要低，這也對電源設計者提出了（le）更高的要求。

SEMIHOW利用多層（céng）外延（yán）工藝實現的（de）COOLMOS產品助力工程師對產品的小型化設計,並解決EMI,EMC測試不好（hǎo）通過的問題。

較其他公司使（shǐ）用的溝槽超（chāo）級結工（gōng）藝，這些多層（céng）外延的（de）MOSFET實現了前所未（wèi）有的性能改進。諸如智能手機和平板電腦充電器以及筆記本電（diàn）腦適配器等電磁幹（gàn）擾（EMI），電磁兼容（EMC）受益於（yú）此優勢。

此外，CoolMOS支持針對小體積PD電源，電視適配器、照明、音響和輔助電（diàn）源的（de）快速（sù）開關和高功率密度設計，目前推出的量產品種包含600V~900V的電（diàn）壓係列。

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