肖特基二極管是以其發明人肖特基博士命名的，SBD是（shì）肖特（tè）基勢壘管（SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD）的簡稱。SBD不（bú）是利用P型半導體與N型半導體接觸形成PN結原理製作的，而是利（lì）用金（jīn）屬與半導體接觸形成的金屬－半導體結原理製作的。那麽下來帶大家（jiā）了解一下肖特基二極管的（de）原理。
肖特（tè）基二極管是貴金屬（金、銀、鋁、鉑等）A為正極，以N型半導體B為負極，利用兩者接觸麵上形成的勢壘具有整流器特（tè）性而做（zuò）成的金屬-半導體器件。因為N型半導體中存在著（zhe）大量的電子，貴金屬中僅有少量的自由電荷，所以電子（zǐ）便從濃度值高的B中向濃度值低的A中擴散。顯然，金屬A中沒有空穴，也就不會有空穴自A向B的擴散運動。
隨著電子不斷從B擴散到A，B表麵電子濃度值慢慢降（jiàng）低（dī），表麵電（diàn）中性（xìng）被破壞，因此就形成勢壘，其電場方（fāng）向為B→A。但在該電場作用下（xià），A中的電子也會產生從A→B的（de）飄移運動，進（jìn）而消弱了（le）由（yóu）於擴散運動而形成的電場。當創建起一（yī）定寬度的空間電荷區後，電場（chǎng）引起的電子漂移（yí）運動和濃度值不同引起的電（diàn）子擴散運動達到相對的平衡，便形成了肖（xiāo）特基勢壘。
典型的肖特基整流管的內部電（diàn）源電路（lù）結構是以N型半（bàn）導體為基片，在上麵形成用砷作摻雜劑的N-外延層。陽極使用鉬或鋁等材（cái）料做成阻檔層。用二（èr）氧化矽（SiO2）來清除邊沿區域的電場，提高（gāo）管子的耐壓值。N型基片具有很（hěn）小的通態電阻，其（qí）摻（chān）雜濃度值較H-層要高100%倍。在基片下邊形成N+陰極層，其作（zuò）用是減小陰極（jí）的接觸電阻
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